FDMD82100L
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDMD82100L |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.37 |
10+ | $2.132 |
100+ | $1.7137 |
500+ | $1.408 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 12-Power3.3x5 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 7A, 10V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung / Gehäuse | 12-PowerWDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | FDMD82 |
FDMD82100L Einzelheiten PDF [English] | FDMD82100L PDF - EN.pdf |
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![]() FDMD82100Lonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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